大綱
•光伏(PV)市场概况
•什么是UltraBypassTM
•UltraBypassTM的市场和目标客户
•当前市场应用方案
•UltraBypassTM解决方案
•UltraBypassTM与肖特基能比较
•UltraBypassTMvs.肖特基二极管
–参数比较
–热成像
•功耗比较
•总结

光伏(PV)市场概况

•330W 会使用3 颗该产品，1GW约使用9kk 该产品
•该产品在中国市场量约100KKpcs/月，每年15-18%的成长
•客户：强x,宏x,扬x,敦x，4家的肖特基二极管占市场90%份额

什么是UltraBypassTM

UltraBypassTMGB1001是用于光伏应用的开关，当太阳能面板的某些部分在正常操作过程中被遮蔽或损毁时，它的目的是为太阳能板串电流提供一条备用路径，如果没有旁路二极管，则阴影单元将显示出热点，这是由反向偏置单元中的过多功耗造成的。

当前，常规的肖特基二极管用于减轻该问题。不幸的是，这些二极管的顺向电压仍然被认为很高（约0.5V）。在这些二极管中流过16A电流时，功耗可高达8W，这又会升高这些二极管通常所在的接线盒内部的温度，并降低模块的可靠性。
GB1001的优点是其顺向电压比肖特基二极管低，在电流为8A时，典型的平均正向压降为67.5mV。

UltraBypassTM的市场和目标客户

•中国地区光伏接线盒内使用之低顺向萧特基(Low VFSchottky)主要顾客。
•UltraBypassTM主要在取代现在使用的低顺向肖特基二极管，提供更低的功耗。
•目前中国每月需求量在100KKUnit以上，年增长率在15%以上。
 
当前市场应用方案
•低顺向肖特基TO-263-2L封装
   –x公司销售的130/150mil晶圆，VF约为0.47V@15A, IR约为100uA@25℃或以上，功耗非常高。
•STMicro 的“Cool Bypass” SPV100x 器件和TI的“Smart Bypass” SM74611 价格贵，大于1美元。
•ST的Cool Bypass具有IC，MOSFET和电容器三组件。不但成本太高，装配过程也非标准制程

UltraBypassTM解决方案
•一个IC，一个MOSFET，使用的TO-252封装。
•VF(Rdson) 通过MOSFET 选择而可伸缩。低Rdson允许我们使用较小的封装体。
•市售的双模具TO-252(封装体)具有成本效益和普遍性。
•定制40V BCD工艺，优化成本结构。
•无专利侵权问题。



UltraBypassTM与肖特基性能比较


UltraBypassTM和肖特基顺向电压VF比较



 
UltraBypassTM和肖特基逆向电流IR比较
 
                            GB1001V30                                                             肖特基二极管

UltraBypassTMvs. SchottkyDiode 热成像比较(8A)

UltraBypassTM vs. Schottky Diode 热成像比较(16A)

            GB1001V30 @16A                                                       肖特基二极管@16A

功耗比较：



总结：



GB100x Summary




Product Road Map(产品路线图)